Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (27) | Журнали та продовжувані видання (4) | Реферативна база даних (20) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Савельев А$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 5 Представлено документи з 1 до 5 |
|||
| 1. | 
Оборский Г. А. Экспорт образовательных услуг в свете Национальной стратегии развития образования в Украине до 2021 года [Електронний ресурс] / Г. А. Оборский, А. А. Савельев // Праці Одеського політехнічного університету. - 2014. - Вип. 1. - С. 288-292. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Popu_2014_1_48 Высшее образование Украины в качестве традиционного экспортера на мировом рынке образовательных услуг сталкивается в последнее время с целым рядом внутренних проблем. В основном, это сложности в организации обучения иностранных граждан, а именно, в координации между государственными институтами, в системе стимулирования и поддержки университетов, в области иммиграционной работы, в области государственных стандартов в преподавании языков обучения, в нормативной базе, в системе контроля качества образовательных услуг. Эффективное стимулирование и развитие экспорта образовательных услуг возможны лишь при комплексном государственном подходе, основой которому должна послужить общегосударственная стратегия. Однако, одобренная в 2013 г. "Национальная стратегия развития образования в Украине до 2021 года" не рассматривает экспорт образовательных услуг как важнейшую составляющую высшего образования. В связи с этим, предложены и сформулированы дополнительные цели, связанные с ними направления развития, а также задачи, которые должны быть поставлены перед системой образования Украины и служить стимулом для актуализации экспорта образовательных услуг с учетом его важности в системе образования. | ||
| 2. | 
Арапов Ю. Г. Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения [Електронний ресурс] / Ю. Г. Арапов, С. В. Гудина, В. Н. Неверов, С. М. Подгорных, А. П. Савельев, М. В. Якунин // Физика низких температур. - 2015. - Т. 41, № 3. - С. 289-303. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2015_41_3_14 Экспериментально исследованы продольное rhoxx(B,T) и холловское rhoxy(B,T) магнитосопротивление в перпендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночными и двойными сильносвязанными квантовыми ямами в зависимости от ширины ямы в диапазоне магнитных полей B = 0 - 12 Тл и температур T = 0,05 - 100 K до и после низкотемпературной подсветки инфракрасным излучением. Для образцов до освещения обнаружено изменение характера температурной зависимости сопротивления в нулевом поле rho(T) с "диэлектрического" (drho/dT << 0) на "металлический" (drho/dT >> 0). Показано, что температурная зависимость сопротивления задается температурной зависимостью подвижности mu(T), "диэлектрический" участок которой связан с квантовыми поправками к проводимости в диффузионном и баллистическом режимах, "металлический" - с рассеянием носителей на акустических и оптических фононах. На магнитополевой зависимости продольного магнитосопротивления rhoxx(B,T) вблизи значения индукции, отвечающего равенству muB = 1, наблюдалось слабое изменение с температурой. Обнаружены также необычные температурные зависимости компонент проводимости sigmaxx(B,T) и sigmaxy(B,T) при muB = 1. На sigmaxx(B,T) наблюдается температурно-независимая точка, а sigmaxy(B,T) при muB = 1 сильно зависит от T. Установлено, что такая закономерность обусловлена характером температурной зависимости подвижности носителей заряда mu(T) как в диффузионном, так и в баллистическом режиме. После подсветки ИК излучением во всех образцах наблюдается положительная остаточная фотопроводимость, связанная с двукратным увеличением концентрации носителей заряда. Сопротивление в нулевом магнитном поле rho(T) в таких образцах также испытывает переход от "диэлектрического" к "металлическому" типу проводимости при меньших значениях температуры, чем до подсветки. Показано, что особенности транспорта после освещения связаны с появлением температурной зависимости концентрации носителей заряда. | ||
| 3. | 
Савельев А. Н. Инвестиционно-строительный процесс и его экономическая безопасность [Електронний ресурс] / А. Н. Савельев // Економіка будівництва і міського господарства. - 2015. - Т. 11, № 4. - С. 145-155. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ebimg_2015_11_4_5 | ||
| 4. |
Савельев А. П. Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs [Електронний ресурс] / А. П. Савельев, С. В. Гудина, Ю. Г. Арапов, В. Н. Неверов, С. М. Подгорных, М. В. Якунин // Физика низких температур. - 2017. - Т. 43, № 4. - С. 612-617. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2017_43_4_13 Экспериментально исследованы продольное <$E rho sub xx (B,~T)> и холловское <$E rho sub xy (B,~T)> сопротивления в магнитном поле B до 12 Тл при температурах T = 1,8 - 80 K в наноструктурах n-In | ||
| 5. | 
Маевский Д. А. Коэффициент полезного действия двухпроводного электрического кабеля с учетом взаимных влияний между его проводниками [Електронний ресурс] / Д. А. Маевский, Е. Ю. Маевская, А. Н. Семенюг, А. А. Савельев // Електротехнічні та комп’ютерні системи. - 2017. - № 24. - С. 90-95. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/etks_2017_24_15 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |